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立式InSb二维单晶纳米片问世

发布时间:2021-06-03 00:04
本文摘要:前不久,中科院半导体材料研究室半导体材料强力晶格我国重点实验室研究者赵建华精英团队与合作方北大专家教授徐洪起等在《纳米快报》(NanoLetters)上公布发布了高质量立柱式InSb二维单晶体纳米片的科研成果。 在III-V族半导体材料中,InSb化学物质具有最薄带隙、最少电子器件电子密度、超过合理地品质和仅次g因素,是制得髙速功耗电子元器件、红外线电子元器件及进行磁矩电力电子技术科学研究与流形量子计算机出去等最前沿物理学探索的理想化原材料。

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前不久,中科院半导体材料研究室半导体材料强力晶格我国重点实验室研究者赵建华精英团队与合作方北大专家教授徐洪起等在《纳米快报》(NanoLetters)上公布发布了高质量立柱式InSb二维单晶体纳米片的科研成果。  在III-V族半导体材料中,InSb化学物质具有最薄带隙、最少电子器件电子密度、超过合理地品质和仅次g因素,是制得髙速功耗电子元器件、红外线电子元器件及进行磁矩电力电子技术科学研究与流形量子计算机出去等最前沿物理学探索的理想化原材料。

因为InSb具有晶格参量大及其原有的n型导电率特点,没法找寻合适衬底外延性生长发育,一般来说大家应用缓冲器层技术性。殊不知,晶格失配引起的晶格缺少不容易顺着缓冲器层往下廷伸,乃至廷伸至缓冲器层表面,促使缓冲器层表面没法组成完美的晶格构造,进而危害外延性的InSb塑料薄膜结晶品质。一个半多新世纪至今,高质量InSb原材料制得依然是并发症专家的难点。

  赵建华精英团队的潘东等科学研究工作人员运用分子结构束外延性技术性,最先在Si(111)衬底上生长发育出有高质量纯相InAs纳米线,随后根据操控生长发育溫度和束流比,创造性在一维InAs纳米网上生长发育出拥有二维高质量InSb纳米片。这类免去缓冲器层技术性制得出去的立柱式InSb纳米片为显闪锌矿单晶体,构造中认真观察接近层错及孪晶等缺少。

其长短和总宽超出μm数量级(低于10μm)、薄厚可薄至10纳米。徐洪起等将这类高质量的二维InSb纳米片制成了场效元器件,元器件具有明显的双旋光性特点,超低温结局效用电子密度近20000cm2V-1s-1。  此项工作中得到 了国家科技部和自然科学基金委的经费预算抵制。


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